在微电子半导体集成电路,薄膜混合集成电路,片式元器件,特别是光盘、磁盘、及液晶平面显示器LCD等技术领域,都需采用溅射技术以制备出各种不同材质的非金属薄膜,来达到产品的电光、电磁、压电等性能要求。这就需要多种与薄膜材料要求相适应的陶瓷溅射靶材。
半导体关联陶瓷靶材、记录介质陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、超导陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材等
两个典型靶材例子
ITO靶
ITO陶瓷靶材是采用纳米氧化铟和氧化锡粉混合烧结而成。ITO靶材通过磁控溅射制备导电玻璃,可用于平面显示器、冰柜玻璃、电子屏蔽玻璃、高层建筑门窗玻璃、汽车、火车及飞机挡风玻璃等。
氧化铪靶
HfO2薄膜由于具有高介电常数、高介电强度、低介电损耗、低漏电流及良好的电容一电压特性、良好的稳定性以及能与基体硅的牢固结合等优点,被认为是最有前途的新型绝缘介质膜。
陶瓷靶材的特性要求
纯度
陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,陶瓷靶材的纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品质量的一致性越好。
密度
靶材的密度不仅影响溅射时的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象等,还影响着溅射薄膜的电学和光学性能。靶材越密实,溅射膜粒子的密度越低,放电现象越弱,而薄膜的性能也越好。此外,提高陶瓷靶材的致密度和强度能使靶材更好地承受溅射过程中的热应力。
成分与结构均匀性
溅射靶材的微观结构均匀性对溅射时的成膜速率、沉积薄膜的质量及厚度分布等均有很大的影响。因此,必须做到靶材成分与结构均匀性好,这也是考察陶瓷靶材质量的重要指标之一。
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